Nagpaplanong Gumawa ang Samsung ng 2nm HBM Base Die sa Texas; AMD ang Nangunguna sa Iniulat na mga Order

Target ng ikalawang pabrika sa Taylor ang circuitry sa ilalim ng AI memory

Plano ng Samsung Electronics na gumawa ng mga advanced na component para sa artificial intelligence memory sa ikalawa nitong pabrika ng chip sa Taylor, Texas, at nakatakdang simulan ang maramihang produksyon sa 2030. Gagamit ang iminungkahing pasilidad ng 2 nanometer na proseso ng pagmamanupaktura, sasaklaw sa humigit-kumulang 2.7 milyong square feet at magsusuplay ng mga base die na nasa ilalim ng mga stack ng high bandwidth memory, o HBM.

Ayon sa mga ulat ng industriya, nakalaan na sa mga customer ang buong planong kapasidad ng pabrika, at kukunin ng AMD ang malaking bahagi ng produksyon. Kabilang din ang Nvidia sa mga tinukoy na posibleng customer. Tumangging magkomento ang Samsung tungkol sa ulat hinggil sa pabrika, at hindi pa nakukumpirma ng hiwalay na mga mapagkukunan ang mga booking. Hindi isiniwalat ang detalyadong hatian ng produksyon sa mga customer, halaga ng mga kontrata at kapasidad batay sa mga wafer.

Magbibigay ang proyekto sa Samsung ng isa pang paraan para makapasok sa lumalaking negosyo ng pagmamanupaktura ng logic circuitry sa loob ng AI memory. Gumagawa ang memory division nito ng mga chip na nag-iimbak ng impormasyon, samantalang ang foundry division nito ay nagmamanupaktura ng mga chip na may processing at control circuit. Dahil sa mas masalimuot na disenyo ng HBM, mas naglalapit ang dalawang negosyong ito.

Lalong nagpapakomplikado sa oportunidad na ito ang mga kahilingan ng Nvidia. Iniulat na hiniling ng nagdidisenyo ng AI processor sa Samsung, SK hynix at Micron na gamitin ang proseso ng pagmamanupaktura ng karibal na TSMC para sa mga base die ng customized nitong memoryang NVHBM. Kaya nahaharap ang Samsung sa dalawang magkaibang landas sa negosyo: paggawa ng memory na may mga component ng TSMC para sa Nvidia, at paggamit ng sarili nitong mga pabrika para sa mga customer kabilang ang AMD.

Mas binibigyang-diin ng panukala sa Texas ang dalawang landas na ito. Maaari pa ring manatiling pangunahing supplier ng memory ang Samsung kahit ibang kumpanya ang gumawa ng base die, habang naghahangad itong kumita pa sa pagmamanupaktura mula sa mga customer na pipili ng sarili nitong proseso.

Ano ang gagawin ng pabrika sa Texas

Pinagsasama ng HBM ang ilang memory chip sa isang patayong stack sa tabi ng makapangyarihang processor. Dahil dito, nakapaglilipat ng malaking dami ng impormasyon sa maiikling distansya, kaya natatanggap ng mga AI processor ang datos na kailangan nila sa pagkukuwenta. Tumutukoy ang bandwidth sa dami ng datos na maililipat sa takdang panahon, hindi sa dami ng impormasyong kayang itago ng memory.

Ang die ay isang indibidwal na piraso ng silicon na may mga electronic circuit. Sa isang HBM stack, nag-iimbak ng datos ang mga memory core die. Ang base die sa ilalim ng mga ito ay nagbibigay ng mga koneksyon at logic function na tumutulong sa stack na makipag-ugnayan sa processor.

Plano ng Samsung na pagsamahin ang mga base die na gagawin sa Taylor at ang DRAM na gagawin sa South Korea. Ang DRAM ang gumaganang memory na pansamantalang nag-iimbak ng impormasyon habang umaandar ang isang computer system. Kaya pag-uugnayin ng iminungkahing production chain ang pagmamanupaktura ng logic sa Amerika at ang produksyon ng memory sa Korea.

Ayon sa mga ulat ng industriya, kasalukuyang gumagamit ang mga produktong HBM4 ng Samsung na ginagawa na nang maramihan at ang mga sample nito ng HBM4E ng mga base die na ginawa gamit ang 4 nanometer na proseso. Lilipat ang Taylor Fab 2 sa 2 nanometer, at posibleng gumamit pa ng mas advanced na mga proseso habang hinihingi ito ng mga produkto sa hinaharap. Tinutukoy ng mga pangalan ng prosesong ito ang mga salinlahi ng teknolohiya sa pagmamanupaktura na ginagamit para maisiksik ang mas masalimuot na circuitry sa maliliit na chip.

Umaabot hanggang 2030 ang mga yugto ng konstruksyon

Planong sumaklaw ang Taylor Fab 2 sa humigit-kumulang 250,000 square meter, mga 1.5 beses na mas malaki kaysa sa unang pabrika sa Taylor. Iniulat na nagsimula na ang paghahanda at pagpapatag ng lugar, at nakatakdang simulan ang malaking bahagi ng konstruksyon sa unang bahagi ng Nobyembre 2026.

Magkakahiwalay sa iskedyul ang pagsisimula ng konstruksyon, ang paglalagay ng mga kagamitan sa pagmamanupaktura at ang aktuwal na produksyon ng mga chip na maibebenta. Nangangailangan ang mga pabrika ng chip ng malawakang paglalagay ng kagamitan at paghahanda ng proseso matapos maitayo ang mga gusali.

• Marso 2026: Inaprubahan ng konseho ng lungsod ng Taylor ang suporta sa engineering para sa mga permit na kaugnay ng ikalawang pabrika.
• Unang bahagi ng Nobyembre 2026: Nakatakdang simulan ang malaking konstruksyon sa Taylor Fab 2.
• 2027: Inaasahang sisimulan ng unang pabrika sa Taylor ang maramihang produksyon.
• Pebrero 2029: Inaasahang magsisimula ang paglalagay ng kagamitan sa ikalawang pabrika.
• 2030: Nakatakdang simulan ng Taylor Fab 2 ang maramihang produksyon.

Ilang taon pang lalampas ang iskedyul ng ikalawang pabrika sa kasalukuyang agawan para sa AI memory. Layunin nitong makakuha ng puwesto sa mga susunod na salinlahi ng produkto, kung kailan inaasahang mas masalimuot na circuitry na ang taglay ng base die.

Bakit mahalaga ang AMD sa iminungkahing pagpapalawak

Ayon sa mga ulat, AMD ang mayorya sa mga booking sa Taylor Fab 2. Ipinahihiwatig ng mga ulat ng industriya na maaaring sapat na ang mga pangangailangan nito para gipitin ang planong kapasidad ng pabrika, kaya mahalagang bahagi ang kumpanya ng iminungkahing pagpapalawak ng Samsung.

Balak ng Samsung na ipagpatuloy ang pinagsamang modelo ng pagmamanupaktura nito para sa customized na HBM na isusuplay sa AMD at iba pang customer. Sa ganitong ayos, sariling mga negosyo ng Samsung ang gagawa kapwa sa memory core die at sa base die, sa halip na bumili ng huli mula sa ibang foundry.

Para sa Samsung, maaaring maghatid ng kita ang paraang ito sa memory at foundry operations nito. Para sa AMD, magbibigay ng puwesto sa iskedyul ng produksyon ang pagreserba ng kapasidad habang lumalawak ang negosyo nito sa AI chip. Hindi pa nailalarawan ang eksaktong mga disenyo ng memory na saklaw ng iniulat na mga order sa Taylor.

Kaugnay ito ng mas malawak na pagsisikap na pahusayin ang paraan ng pagkuha ng mga processor ng datos. Ipinakita ng Samsung ang pakikipagtulungan sa AMD sa memory pooling sa mga presentasyon nito tungkol sa AI infrastructure noong Oktubre 2026, kasama ang customized na HBM at iba pang teknolohiya ng memory. Ibang bahagi ng pagsisikap na iyon ang plano sa Taylor: pagmamanupaktura ng silicon sa ilalim ng mga stack ng HBM sa hinaharap.

Bakit hinihiling ng Nvidia na gamitin ng mga supplier ang TSMC

Dadalhin ng iniulat na kahilingan ng Nvidia sa TSMC ang isang yugto ng produksyon ng HBM na tradisyonal na ginagawa ng Samsung sa loob ng kumpanya. Ayon sa mga ulat ng industriya noong Oktubre 18, 2026, hiniling ng Nvidia sa Samsung, SK hynix at Micron na gamitin ang 3 nanometer na proseso ng TSMC para sa mga base die ng NVHBM, kasabay ng ikaanim na salinlahi ng teknolohiya sa pagmamanupaktura ng DRAM para sa mga memory core die.

Nais ng Nvidia na mas magkakatulad ang paggana ng memory mula sa mga supplier nito. Maaaring mabawasan ng iisang proseso ng pagmamanupaktura para sa base die ang pagkakaiba-iba ng mga produkto at ang gawaing engineering na kailangan para aprubahan ang memory mula sa bawat manufacturer na gamitin sa mga processor ng Nvidia.

Iniulat na tinanggap ng Samsung ang kahilingan matapos ang panloob na pagsusuri. Pinalalawak nito ang naunang pakikipagtulungan sa TSMC, na nakatuon sa pagiging tugma ng memory ng Samsung sa teknolohiya ng TSMC para sa chip packaging, tungo sa pagmamanupaktura ng isang mahalagang HBM component.

Ipinaliliwanag ng kahilingan ng Nvidia para sa base die na iniulat noong Oktubre kung bakit maaaring magkasabay ang mga ambisyon ng Samsung sa Texas at ang paggamit nito sa TSMC. Maaari itong magsuplay sa Nvidia ng memory na may base die ng TSMC habang naghahangad ng sarili nitong mga order sa pagmamanupaktura mula sa ibang customer.

Inililipat ng NVHBM ang mas maraming control circuitry sa memory

Binabago ng NVHBM ang hatian ng gawain sa pagitan ng pangunahing processor at ng memory na katabi nito. Inililipat ng disenyo nito ang memory controller, ang circuitry na nagdidirekta sa daloy ng datos, mula sa graphics processing unit papunta sa HBM base die.

Nagkakaroon ang Nvidia ng puwang sa pangunahing processor para sa mas maraming computing circuitry. Mas malaki ang papel ng base die, kaya mas nagiging mahalaga sa buong sistema ang teknolohiya ng pagmamanupaktura nito. Isa sa mga dahilan ng paggamit ng advanced na proseso ang pagsiksik ng dagdag na logic sa limitadong espasyo.

Nakaaapekto rin sa gastos at suplay ang yield sa pagmamanupaktura. Ang yield ay ang bahagdan ng mga chip na nagagawa sa isang silicon wafer na nakatutugon sa itinakdang pamantayan. Tinataya ng industriya na lampas 90% ang yield ng 3 nanometer na proseso ng TSMC, kumpara sa humigit-kumulang 60% para sa 2 nanometer na proseso ng Samsung. Magkaibang proseso ang inilalarawan ng mga pagtatayang ito, ngunit ipinakikita ng mga ito kung bakit kaakit-akit sa negosyo ang prosesong nakagagawa ng malaking bahagdan ng mga chip na magagamit.

Sinusuri rin ng Samsung ang posibilidad na gawin ang mga base die ng NVHBM gamit ang sarili nitong teknolohiya sa pagmamanupaktura, na posibleng magbigay ng alternatibo kung lumampas ang demand sa kapasidad ng TSMC. Dahil sa iniulat na pagpili ng Nvidia sa TSMC, nakasalalay pa rin sa mga pasya sa pagkuha ng suplay sa hinaharap ang posibleng papel ng Nvidia sa Taylor. Maaaring magkasabay na umiral ang kumbensiyonal na HBM at NVHBM habang patuloy na nagbebenta ang Nvidia ng ilang salinlahi ng mga processor.

Mas mabilis ang paglaki ng demand sa memory kaysa sa suplay

Tinataya ng UBS na aabot sa humigit-kumulang 61.5 bilyong gigabit ang demand sa HBM sa 2027, 91% na mas mataas kaysa noong nakaraang taon. Mag-iiwan ng kakulangan na 6.9 bilyong gigabit, o humigit-kumulang 11% ng inaasahang demand, ang tinatayang shipment na 54.6 bilyong gigabit.

Sinusukat ng mga bilang na ito ang dami ng memory, hindi ang bilang ng mga kumpletong HBM stack. Ipinakikita ng paghahambing kung bakit naghahanap ang mga kumpanya ng processor ng mga kasunduan sa kapasidad bago pa man magsimulang magprodyus ang bagong pabrika.

Nagdudulot ng panibagong agarang pangangailangan sa advanced na memory ang pagsisimula ng produksyon ng Vera Rubin ng Nvidia. Naglalaban ang Samsung, SK hynix at Micron sa pagsusuplay ng HBM4 para sa platform na iyon habang binubuo ang mga susunod na salinlahi nito.

Mas huli kaysa sa panahong saklaw ng kakulangan sa pagtataya ng UBS ang target na 2030 ng Taylor Fab 2. Maglilingkod ang pabrika sa merkado sa hinaharap, na huhubugin ng patuloy na paglago ng AI computing at mga pagbabago sa disenyo ng memory. Kaya kapwa pamumuhunan sa kapasidad at pasya kung aling mga bahagi ng mga sistema ng memory sa hinaharap ang gustong gawin ng Samsung ang plano nito.

Ang unang pabrika sa Taylor ang panimulang punto

Inaasahang magsisimula sa 2027 ang produksyon sa unang pabrika ng Samsung sa Taylor, tatlong taon bago ang ikalawang pasilidad. Itinuturing ang Tesla na pangunahing customer nito sa ilalim ng iniulat na kasunduang nagkakahalaga ng $16.5 bilyon para sa mga chip na AI5 at AI6.

Tumaas mula $17 bilyon tungong $37 bilyon ang iniulat na pamumuhunan para sa unang pabrika, at kabilang sa proyekto ang $4.75 bilyong tulong sa ilalim ng US CHIPS Act. Saklaw ng mas malawak na lugar sa Taylor ang 1,268 acre at may puwang para sa hanggang 10 pabrika.

Magkakaiba ang magiging papel ng dalawang pabrika sa kampus. Inuugnay ang una sa pagmamanupaktura ng AI processor, samantalang nakapokus ang ikalawa sa mga logic component para sa advanced na memory. Para sa mga customer, palalawakin nito ang hanay ng silicon na may kaugnayan sa AI na kayang gawin ng Samsung sa Estados Unidos.

Mananatiling bahagi ng iminungkahing production chain ng HBM ang South Korea dahil doon planong gawin ng Samsung ang DRAM. Ipamamahagi ng pagpapalawak sa Texas ang produksyon sa dalawang bansa, kung saan pagsasamahin ang mga base die mula Amerika at ang memory mula Korea.

Nagsisikap ang Samsung na palakasin ang foundry business

Sinabi ng Samsung na nakinabang ang kita ng foundry nito sa ikatlong quarter mula sa benta ng HBM logic die at mga order sa advanced na 2 nanometer mula sa malalaking cloud operator at iba pang customer sa AI. Gayunman, patuloy na nalulugi ang negosyo.

Nagtaya ang kumpanya ng mahigit 130% paglago sa mga order para sa 2 nanometer sa 2026. Inaasahan ng Kiwoom Securities na kikita muli ang foundry division sa ikaapat na quarter. Makakatulong sa pagsisikap na makabangon ang ganap nang naireserbang ikalawang pabrika sa Taylor dahil magbibigay ito sa Samsung ng mas mahabang pipeline ng produksyon.

Nasa mas maagang yugto pa ang mga posibleng ibang customer. Itinuturing ng mga tagamasid sa industriya ang Broadcom bilang posibleng bibili ng mga HBM base die mula sa Taylor. Itinutulak din ng Samsung, sa pamamagitan ng Faraday ng Taiwan, ang posibleng proyekto ng 2 nanometer na AI chip para sa isang customer ng cloud sa US. Nagdidisenyo ang Faraday ng mga pasadyang chip. Hindi pa nakukumpirma ang mga order sa pagmamanupaktura para sa proyektong iyon.

Pinakamalinaw na tuon sa customer ng plano sa Texas ang iniulat na demand ng AMD. Mas komplikadong oportunidad ang Nvidia dahil kasalukuyang itinuturo ng mga kinakailangan nito sa memory ang pagmamanupaktura ng base die sa TSMC. Hamon sa Samsung na gawing mas maraming trabaho para sa sarili nitong mga pabrika ang demand sa memory nito, habang tinutugunan ang piniling disenyo at mga kinakailangan sa produksyon ng bawat customer.

Mahahalagang punto

• Planong gumawa ang ikalawang pabrika ng Samsung sa Taylor ng mga HBM base die gamit ang 2 nanometer na proseso, at nakatakdang magsimula ang maramihang produksyon sa 2030.
• Ayon sa mga ulat ng industriya, nakalaan na ang buong planong kapasidad, karamihan ay para sa AMD. Hindi pa kinukumpirma ng Samsung ang ulat.
• Nakatakdang magsimula ang malaking konstruksyon sa unang bahagi ng Nobyembre 2026, kasunod ang paglalagay ng kagamitan simula Pebrero 2029.
• Plano ng Samsung na pagsamahin ang mga base die mula Texas at DRAM na ginawa sa South Korea.
• Iniulat na hiniling ng Nvidia sa tatlong pangunahing supplier nito ng HBM na gamitin ang 3 nanometer na proseso ng TSMC para sa mga base die ng NVHBM.
• Tinataya ng UBS na aabot sa 61.5 bilyong gigabit ang demand sa HBM sa 2027, kumpara sa inaasahang shipment na 54.6 bilyong gigabit.
• Suportado ng pagpapalawak ang pagsisikap ng Samsung na makakuha ng mas maraming negosyo sa advanced na pagmamanupaktura habang nagsisikap na kumita ang foundry division nito.