Pinag-iisipan ng TSMC ang Paggawa ng 3D DRAM sa Hiling ng Nvidia Habang Kumikipot ang Suplay ng Memory para sa AI

Posibleng bagong papel sa karera sa memory para sa AI

Pinag-iisipan ng Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) ang paggawa ng 3D DRAM sa hiling ng Nvidia, ang pinakamalaki nitong kostumer, ayon sa mga ulat na inilathala noong Nobyembre 6 at 7, 2026, na sumipi sa dalawang taong pamilyar sa mga talakayan. Mas lalo nitong papapasukin sa memorya na kailangan para sa pagpoproseso ng artificial intelligence ang pinakamalaking contract chipmaker sa mundo.

Dalawang opsyon ang tinitimbang ng TSMC: magtayo ng pabrika o bumili ng kasalukuyang planta at iangkop ito sa paggawa ng memorya. Iniulat na pinangungunahan ni Hsu Kuo-chin, ang bise presidente na responsable sa pagpapaunlad ng advanced packaging technology, ang gawain. Dati siyang naging chairman ng Micron Taiwan, kaya may karanasan siya sa paggawa ng memorya na magagamit sa kasalukuyan niyang mga tungkulin sa pag-integrate ng mga chip.

Nagaganap ang mga talakayan habang pinipiga ng demand para sa AI hardware ang suplay ng memorya at nagtutulak pataas sa mga presyo. Naghahanap ang Nvidia ng dagdag na mga supplier, samantalang naghahanap din ang Apple ng mas maraming mapagkukunan ng memorya at binanggit ang pagtaas ng mga gastos dito bilang isa sa mga dahilan ng pagtataas ng ilang presyo ng produkto nito nitong unang bahagi ng taon.

Sa pampublikong tugon nito, tumanggi ang TSMC na magkomento sa mga usap-usapan o haka-haka sa merkado at muling iginiit ang pagtutok nito sa pangunahing negosyo ng foundry. Sinabi ng kumpanya na nananatili ang misyon nitong magbigay ng teknolohiya at kapasidad sa pagmamanupaktura sa pandaigdigang industriya ng logic chip. Hindi agad tumugon ang TSMC at Nvidia sa mga kahilingan para sa komento tungkol sa iniulat na pagpaplano.

Ang pangunahing usaping pangkomersiyo ay kung makalilipat ang TSMC mula sa paggawa ng mga processor at pagtulong sa pagkonekta ng mga ito sa memorya tungo sa paggawa mismo ng mga memory cell. Mas ilalapit nito ang kumpanya sa direktang pakikipagkumpitensya sa Samsung Electronics, SK hynix at Micron, at posibleng magbigay sa mga kostumer nito ng isa pang paraan para makakuha ng bahaging patuloy na nagiging mas mahal.

Ano ang mababago ng 3D DRAM?

Ang DRAM, daglat ng dynamic random access memory, ay pansamantalang nag-iimbak ng impormasyong kailangan ng isang elektronikong device habang gumagana ito. Para itong mesa para sa processor: malapit lang ang impormasyong kailangan sa kasalukuyang gawain, sa halip na paulit-ulit itong kunin mula sa pangmatagalang imbakan.

Inilalatag ng karaniwang DRAM ang mga memory cell nito sa pahalang na ayos. Sa isinasaalang-alang na 3D DRAM, ilalagay nang patayo ang mga cell o patong ng mga cell upang madagdagan ang dami ng impormasyong magkakasya sa sukat ng isang chip. Kahawig ng pangunahing ideya ang pagdaragdag ng mga palapag sa isang gusali sa halip na palawakin ang lawak nito sa lupa.

Para sa AI hardware, bahagi lamang ng pangangailangan ang kapasidad. Kailangan ding makapaglipat ng impormasyon nang sapat na mabilis ang memorya upang manatiling abala ang mga mamahaling processor. Dapat pa ring matugunan ng chip na nag-iimbak ng mas maraming datos ang mga kinakailangan sa bilis, konsumo ng kuryente, temperatura at maaasahang pagpapatakbo.

Kailangan ding regular na i-refresh ang DRAM upang mapanatili ang nakaimbak nitong impormasyon. Dapat mapangasiwaan ng disenyong kapaki-pakinabang sa komersiyo ang prosesong ito habang maaasahang nagbabasa at nagsusulat ng datos. Dahil sa mga kahilingang ito, proyekto ito sa pagmamanupaktura at inhinyeriya, bukod pa sa pagtugon sa mga kostumer na naghahanap ng mas maraming suplay.

Bakit naiiba ito sa HBM na ginagamit na sa AI

Gumagamit din ng patayong estruktura ang high bandwidth memory, o HBM, ngunit sa ibang antas. Gumagawa ang mga manufacturer ng magkakahiwalay na DRAM chip na tinatawag na dies at pinapatong-patong ang mga ito. Nakapag-uugnayan ang mga die sa pamamagitan ng mga koneksiyong elektrikal na dumaraan sa silicon, habang ikinokonekta naman ng advanced packaging ang memory stack sa processor.

Binabago ng cell stacking sa 3D DRAM ang pagkakaayos sa loob mismo ng memory device. Pinapatong-patong ng HBM ang magkakahiwalay na gawang die; sa iminungkahing arkitektura, pinapatong-patong naman ang mga memory cell o tier sa loob ng device. Magkakaiba ang mga kinakailangan sa produksyon at integrasyon ng bawat pamamaraan.

Bahagi na ng supply chain ng HBM ang TSMC. Saklaw ng inihayag nitong pakikipagtulungan sa SK hynix para sa HBM4 ang performance ng base die at packaging para maisama ang memorya sa logic chip. Ang base die ay ang chip sa ilalim ng memory stack na nangangasiwa sa mga koneksiyon at mga tungkuling logic.

Lumabas din ang interes ng Nvidia sa teknolohiya ng pagmamanupaktura ng TSMC sa iniulat nitong mga plano para sa NVHBM base die noong Oktubre. Iniulat na hiniling ng Nvidia sa Samsung, SK hynix at Micron na gamitin ang 3-nanometer process ng TSMC para sa mga base die ng pasadyang disenyo nito ng memorya. Sa ganitong kaayusan, magsusuplay ng memory die ang mga kumpanya ng memorya habang gagawin naman ng TSMC ang tinukoy na logic component.

Magdaragdag ng panibagong responsibilidad ang paggawa ng mga storage cell sa kasalukuyang papel ng TSMC. Para sa mga kostumer, nakasalalay ang praktikal na pakinabang sa kapasidad, bilis ng paglilipat ng datos, konsumo ng kuryente at pagiging tugma sa kanilang mga sistema ng pinal na produkto.

Bakit naghahanap ang Nvidia ng mas maraming opsyon sa memorya

Ipinapakita ng iniulat na kahilingan ng Nvidia ang suliranin sa suplay na lagpas sa mismong processor. Kailangan ng mga AI system kapwa ang lakas sa pagkuwenta at tuloy-tuloy na daloy ng datos. Kapag mas maraming processor ang ginagamit, tumataas ang demand sa memoryang nagpapagana sa mga ito, kaya napipilitang magpalawak ng produksyon ang mga manufacturer.

Ang Samsung, SK hynix at Micron ang pangunahing matatag nang supplier na makakaharap ng negosyo ng memorya ng TSMC. Sa pagdating ng isa pang prodyuser, posibleng lumawak kalaunan ang mga pagpipilian ng mga kostumer sa pagbili, kung makapaghahatid ito ng sapat na dami ng produkto at matutugunan ang mga teknikal na kinakailangan ng mga ito.

Sinisikap din ng Nvidia na mas mabilis maipatupad ang kumpletong AI system. Sa anunsiyo nito noong Oktubre tungkol sa disenyo ng DSX POD, inilarawan nito ang pitong computing rack na may 504 Rubin graphics processor sa isang container na binuo at sinubukan bago ipadala. Pinaplanong magsimula ang pandaigdigang paghahatid sa unang bahagi ng 2027.

Praktikal ang ugnayan ng mga ito: kailangan dumating ang lahat ng bahagi ayon sa plano ng deployment, kabilang ang mga processor, memorya, networking at kagamitan sa pagpapalamig. Dahil pinalalawak ang produksyon ng processor at pinapasimple ang pag-install, isa pa sa mga kailangang isaalang-alang sa iskedyul ng paghahatid ang pagkakaroon ng memorya.

Ipinakikita ng paghahanap ng Apple ng dagdag na mapagkukunan ng memorya na umaabot din ang presyur sa mga consumer electronics. Maaaring makaapekto ang mas mataas na gastos sa memorya sa ekonomiya ng mga telepono, computer at iba pang device, bukod pa sa malalaking sistemang ginagamit para sa AI. Binanggit na ng Apple ang mga gastos na ito bilang isa sa mga dahilan ng ilang pagtaas ng presyo.

Magtayo ng pabrika o mag-angkop ng kasalukuyang planta

Alinman sa pagtatayo ng bagong pasilidad para sa advanced memorya o pagbili ng planta at pag-angkop dito ang mga iniulat na opsyon ng TSMC. Pinili ng Micron ang pagbili at pag-aangkop sa unang bahagi ng taong ito, nang bumili ito ng planta ng paggawa ng chip upang iangkop sa produksyon ng DRAM.

Gumagawa ng mga chip sa maninipis na disk na tinatawag na wafer ang pabrika ng chip, na karaniwang tinatawag na fab. Hindi sapat na palitan lang ang pangalan ng produkto para maiangkop ang isang planta: dapat tumugma sa disenyo ng memorya ang kagamitan, mga hakbang sa proseso at mga kondisyon sa pagpapatakbo. Kailangan din ng bagong planta ng mga makina, imprastraktura at panahon upang maisaayos ang produksyon.

Ipinakikita ng kasalukuyang pagpapalawak ng TSMC kung gaano kaaga kailangang magpasya tungkol sa pabrika. Inihayag ni C. C. Wei, chairman at chief executive, noong Oktubre 15 na magdadagdag ang kumpanya ng isa pang pabrika ng 3nm sa Tainan, na target simulan ang komersiyal na produksyon sa unang kalahati ng 2028. Inaasahang magsisimula naman ang malawakang produksyon sa unang kalahati ng 2027 sa nauna nang planong proyekto sa Tainan.

Nasa yugto pa lamang ng pagpaplano ang iminungkahing paggawa ng memorya. Hindi pa isinasapubliko ang lokasyon ng pabrika, badyet sa pamumuhunan, target na produksyon ng wafer, produktong pangkomersiyo, pag-apruba ng kostumer at petsa ng pagsisimula ng produksyon. Hindi rin isiniwalat kung saan gagamitin ng Nvidia ang memorya, kaya wala pang iskedyul ng paghahatid o espesipikong produktong masusuri ang mga kostumer.

Bakit mahalaga ang ehekutibong namumuno sa gawain

Iniuugnay ng iniulat na pamumuno ni Hsu ang dalawang mahalagang larangan ng karanasan. Dahil dati siyang chairman ng Micron Taiwan, nagtrabaho siya sa industriya ng memorya. Sa TSMC, kabilang sa mga tungkulin niya ang three-dimensional integrated circuit at advanced packaging, mga teknolohiyang ginagamit para magkonekta ng mga chip at makabuo ng mas malalaking sistema ng kompyutasyon.

Mahalaga ang advanced packaging dahil dapat gumana ang isang kapaki-pakinabang na AI component sa loob ng kumpletong sistema. Naaapektuhan ng mga koneksiyon sa pagitan ng mga processor, memorya at iba pang chip ang bilis ng pagdaloy ng datos at paraan ng pamamahala sa init. Isang gawain ang paggawa ng masinsing memory device; ibang gawain naman ang pagsasama nito sa isang gumaganang produkto.

Dati nang nakilahok ang TSMC sa paggawa ng karaniwang memorya at may mga patent ito kaugnay ng patayong DRAM. Kaya aasa ang iniulat na inisyatiba sa ilang kasalukuyang teknikal na gawain, gayundin sa kakayahan ng kumpanya sa packaging.

Gumagawa rin ng teknolohiyang 3D DRAM ang Samsung, SK hynix at Micron. Papasok ang anumang produkto ng TSMC sa larangang tinutugunan na ng mga matatag nang manufacturer ng memorya, habang patuloy silang nagsusuplay sa kasalukuyang merkado.

Ang gawaing pang-inhinyeriya mula disenyo hanggang paghahatid

Sa paggawa ng memoryang pinatong-patong nang patayo, kailangang bumuo ng napakalalim at makikitid na estruktura at ikonekta nang wasto ang magkakaibang tier. Hamon din ang pagiging maaasahan ng mga estrukturang ito: kailangang mapanatili ng mga cell ang impormasyon at paulit-ulit na makapagbasa at makapagsulat sa mga kondisyong hinihingi ng mga kostumer.

Sentro ng ekonomiya ng produksyon ang manufacturing yield. Ito ang bahagi ng mga chip na nagagawa sa isang wafer na gumagana nang sapat upang maibenta. Maaaring mag-imbak ng mas maraming impormasyon ang isang disenyo sa kaparehong lawak, ngunit mananatili itong mahal kung napakaraming device ang pumapalya habang ginagawa.

May isa pang yugto ang pag-apruba ng kostumer. Kakailanganin ng Nvidia ang memoryang tumutugon sa mga kinakailangan ng isang partikular na sistema, kabilang ang bandwidth, konsumo ng kuryente, asal sa init at pagiging tugma sa packaging. Ang qualification ay proseso ng pagsubok at pag-apruba para matiyak na natutugunan ang mga kinakailangang ito bago isama ang isang component sa mga produktong pangkomersiyo.

Isang makasaysayang paghahambing kung paano itinatala ang mga yugto ng produksyon ang karanasan ng Samsung sa patung-patong na NAND. Ipinakilala nito ang unang henerasyon ng V-NAND noong 2013 at inanunsiyo ang malawakang produksyon ng ikalawang henerasyon noong Oktubre 2014. Ang NAND ay storage memory na nagpapanatili ng datos kahit walang kuryente, samantalang pansamantalang imbakan sa trabaho ang DRAM at kailangan itong i-refresh. Dahil magkaiba ang kanilang mga kinakailangan sa pagpapatakbo, magkakaiba rin ang gawaing pang-inhinyeriya na tumutukoy sa mga iskedyul ng pagpapaunlad.

Para sa mga mamimili, ang mahalagang sukatan ay kung makapaghahatid ng gumagana at aprubadong memorya sa malaking dami. Para makuwenta ang suplay na iyon, kailangan ang mga bilang ng produksyon ng wafer, kapasidad ng bawat chip, manufacturing yield at dami ng nagagawang packaging. Sa mga bilang na iyon masusuri ng mga kostumer ang ambag ng bagong supplier.

Paano magkakaugnay ang mga pag-unlad

Inilalarawan ng mga anunsiyo noong Oktubre at mga ulat noong Nobyembre ang ilang magkakaugnay na pagsisikap upang matugunan ang demand para sa AI: dagdag na produksyon ng logic chip, mas malaking papel ng TSMC sa mga memory base die, mas mabilis na pag-deploy ng sistema at ngayon ay pagsasaalang-alang sa paggawa ng memory cell.

• Oktubre 15, 2026: Inanunsiyo ng TSMC ang isa pang pabrika sa Tainan na gagamit ng 3-nanometer process nito, at planong simulan ang komersiyal na produksyon sa unang kalahati ng 2028.
• Oktubre 18, 2026: Iniulat sa industriya ang kahilingan ng Nvidia na gamitin ang 3-nanometer technology ng TSMC sa mga NVHBM base die na isusuplay sa pamamagitan ng Samsung, SK hynix at Micron.
• Oktubre 21, 2026: Inanunsiyo ng Nvidia ang DSX POD, na planong simulan ang pandaigdigang paghahatid sa unang bahagi ng 2027.
• Nobyembre 6 at 7, 2026: Iniulat na pinag-iisipan ng TSMC ang paggawa ng 3D DRAM sa hiling ng Nvidia.

Tumaas nang 7.6% ang American depositary receipt ng TSMC sa kalakalan bago magbukas ang merkado ng US noong Nobyembre 6. Magbibigay sa mga mamumuhunan ng isa pang posibleng pagkukunan ng kita kaugnay ng AI ang iminungkahing pagpapalawak ng negosyo, bukod pa sa matatag na operasyon ng kumpanya sa paggawa ng processor at packaging.

Para sa Nvidia at iba pang kostumer, nananatiling agarang usapin ang pagkuha ng sapat na angkop na memorya sa presyong kayang pamahalaan. Nagbubukas ang iniulat na pagpaplano ng TSMC ng posibleng dagdag na paraan ng pagmamanupaktura, samantalang nananatiling nakatuon sa negosyo ng foundry ang pampublikong posisyon nito. Ang susunod na kongkretong pag-unlad ay mga desisyon ng kumpanya na tutukoy sa produkto, kapasidad sa pagmamanupaktura at pag-apruba ng kostumer.

Mahahalagang Punto

• Iniulat na pinag-iisipan ng TSMC ang paggawa ng 3D DRAM sa hiling ng Nvidia.
• Kabilang sa mga opsyon ang pagtatayo ng pabrika o pagbili at pag-aangkop ng kasalukuyang planta.
• Iniulat na namumuno sa gawain si Bise Presidente Hsu Kuo-chin, dating chairman ng Micron Taiwan.
• Naiiba ang cell stacking sa 3D DRAM sa pagpapatong-patong ng magkakahiwalay na gawang memory die sa HBM.
• Sinabi ng TSMC na hindi ito nagkokomento sa haka-haka sa merkado at nananatiling nakatuon sa pangunahing negosyo nitong foundry.
• Hindi pa inanunsiyo ang produktong pangkomersiyo, pangakong magtayo ng pabrika o iskedyul ng produksyon.
• Kung papasok ang TSMC sa paggawa ng memory cell, mas direkta itong makikipagkumpitensya sa Samsung, SK hynix at Micron.