Target ng CXMT ang 2026 na Paglulunsad ng 4F2 Server Memory Habang 2028 Production ang Tinitingnan ng Samsung

Mas maliit na memory cell at ambisyosong deadline

Plano ng ChangXin Memory Technologies (CXMT), pinakamalaking tagagawa ng memory chip sa China, na ipakilala pagsapit ng katapusan ng 2026 ang DDR5 registered server memory gamit ang 4F2 DRAM architecture. Inilahad ni Pangulong Cao Kanyu ang plano noong Oktubre 10 sa Fourth Integrated Circuit and Chiplet Conference sa Shanghai, kaya nabigyan ng tiyak na produkto at deadline ang pagsisikap ng kumpanya na makipagkompetensiya sa Samsung Electronics, SK hynix at Micron.

Binabawasan ng iminungkahing architecture ang lawak na sinasakop ng bawat memory cell mula sa karaniwang 6F2 design tungo sa 4F2. Sa parehong minimum feature size, katumbas ito ng teoretikal na pagbawas ng isang katlo sa lawak ng cell. Maaari nitong pahintulutang magkasya ang mas maraming memory sa isang chip, bagaman nakadepende ang pakinabang sa pinal na produkto sa circuitry, resulta ng pagmamanupaktura at iba pang kinakailangan sa disenyo.

Nauuna nang humigit-kumulang dalawang taon ang deadline ng CXMT sa iniulat na target ng Samsung na 2028 para sa mass production. Hindi pa ito patunay ng dalawang taong kalamangan sa pagmamanupaktura. Magkaibang milestone ang pagpapakilala ng produkto at ang maaasahang paggawa nito sa malalaking dami, at hindi pa ibinubunyag ng CXMT ang detalyadong espesipikasyon, eksaktong petsa ng paglabas o production yield ng nakaplanong server memory.

Mahalaga ang anunsiyo dahil mga enterprise server ang puntirya nito, hindi mga consumer device kung saan nakapagtatag na ng presensiya ang mga Chinese DRAM supplier. Kailangang maaasahan ng mga server customer ang operasyon sa mahabang panahon, kaya hiwalay na pagsubok ang pagtanggap ng merkado sa pagpapakita lamang ng mas maliit na cell.

Ang inanunsiyo ni Cao sa Shanghai

Sinabi ni Cao Kanyu, na lumilitaw din bilang Chao Kanyu sa mga ulat sa Ingles, na server memory ang unang aplikasyon ng produkto para sa bagong architecture ng CXMT. Ganito niya inilarawan ang planong paglabas sa kumperensiya sa Shanghai:

Ilulunsad namin pagsapit ng katapusan ng taon ang susunod na henerasyon ng DDR5 RDIMM server memory na may 4F2 DRAM structure.

Ang RDIMM ay nangangahulugang registered dual inline memory module. Gumagamit ang mga module na ito ng register para i-buffer ang mga command at address signal, na tumutulong sa mga server na gumamit ng mas mahihirap na memory configuration. Tinutukoy ng DDR5 ang henerasyon ng memory; inilalarawan naman ng 4F2 ang pinagbabatayang ayos ng cell. Samakatuwid, tungkol ang anunsiyo sa bagong paraan ng paggawa ng mga chip sa loob ng pamilyar na kategorya ng server memory, hindi sa pagpapalit sa pamantayang DDR5.

Sinabi ng CXMT na muling idinisenyo nito ang mahahalagang hakbang sa pagmamanupaktura at bumuo ng sarili nitong vertical surrounding gate transistor, o VSG. Ipinahihiwatig ng mga pahayag na ito na higit pa sa iminungkahing ayos ng cell ang saklaw ng trabaho. Gayunman, hindi nito pinatutunayan kung ilang magagamit na chip ang nagagawa ng proseso, gaano kabilis mapapalawak ang produksyon o kung natapos na ng mga server customer ang qualification.

Nagkakaiba ang mga ulat sa diin na ibinibigay nila sa deadline. Inilalarawan ito ng ilan bilang planong simulan ang mass production sa bandang katapusan ng taon, samantalang produkto ang ipinangako ni Cao na ilulunsad sa sinipi niyang pahayag. Dahil walang ibinunyag na dami ng pagmamanupaktura, mas matibay na batayan sa paghahambing ng CXMT at mga kakompetensiya nito ang mas tiyak na pangakong paglulunsad.

Ang binabago ng 4F2 sa loob ng DRAM chip

Nag-iimbak ng impormasyon ang DRAM sa mga cell na kailangang regular na i-refresh para mapanatili ang data. Sa notasyong ginagamit para sa laki ng cell, ang F ay kumakatawan sa minimum feature size, na karaniwang inilalarawan bilang pinakamaliit na lapad ng linya. Sumasakop ang 4F2 cell ng lawak na katumbas ng 2F na pinarami sa 2F, kumpara sa anim na yunit kuwadrado ng F para sa 6F2 cell.

Nagbibigay ang kuwenta ng kapaki-pakinabang na sukatan sa laki ng ambisyon. Mula sa anim na yunit ng lawak tungo sa apat, nababawasan nang humigit-kumulang 33% ang footprint ng cell. Kung lawak lamang ng cell ang mahalaga, 50% pang cell ang maaaring magkasya sa parehong espasyo, dahil 1.5 ang resulta ng anim na hinati sa apat. Hindi dapat ituring ang alinman sa dalawang bilang na ito bilang ipinangakong pagtaas sa kapasidad o bilis ng mga natapos na module ng CXMT.

Kailangan din ng mga aktuwal na chip ng peripheral circuit, koneksiyon at espasyong itinatakda ng mga limitasyon sa pagmamanupaktura. Higit pa sa dami ng cell na nagkakasya sa isang lawak ang nakaaapekto sa bilis, konsumo ng kuryente at pagiging maaasahan ng memory. Wala pang inilalathalang sukat ang CXMT para maihambing ang mga katangiang ito sa kasalukuyang server DRAM.

Inilalagay ng iminungkahing VSG transistor nang patayo ang channel, na napalilibutan naman ng gate. Kinokontrol ng gate ang daloy ng kuryente sa transistor. Ayon sa CXMT, nakatutulong ang ayos na ito na bawasan ang di-nais na tagas ng kuryente at pataasin ang density ng memory, na posibleng magpahusay sa episyensiya ng paggamit ng kuryente.

Sinisiyasat din ng CXMT ang hybrid bonding para magkahiwalay na ma-optimize ang mga memory cell at peripheral logic. Pinagdudugtong ng hybrid bonding ang mga semiconductor structure gamit ang napakapinong mga koneksiyong elektrikal. Layunin umano nitong bigyan ng higit na kaluwagan sa disenyo ang storage array at mga sumusuportang circuit, bagaman hindi nililinaw ng mga ulat kung gagamitin ang paraang ito sa unang DDR5 RDIMM release.

May kanya-kanyang iskedyul ang Samsung at SK hynix

Nagsasaliksik ng 4F2 DRAM ang Samsung Electronics at SK hynix, ngunit wala sa mga ulat tungkol sa anunsiyo ng CXMT ang nagsasabing nagtakda ang alinman sa kanila ng pinal na pangako sa mass production. Nagbunyag ang SK hynix ng kaugnay na technology roadmap noong 2025. Iniulat namang layunin ng Samsung na tapusin sa 2026 ang pagbuo ng 10a DRAM nito gamit ang 4F2, magsagawa ng quality testing sa 2027 at simulan ang mass production sa 2028.

Iniulat na target sa development ang iskedyul ng Samsung, hindi isang kumpirmadong garantiya. Gayunman, ipinapaliwanag nito kung bakit binibigyang-pansin ang nakaplanong 2026 release ng CXMT: sinisikap ng kompanyang Chinese na magpakilala ng komersiyal na produkto bago ang petsa ng produksyon na kasalukuyang iniuugnay sa mas malaking karibal nito.

Sinabi ni Tian Feng, mananaliksik sa Shanghai Jiao Tong University, na may mga roadmap para sa 4F2 o kahalintulad na 3D DRAM technology ang tatlong pangunahing tagagawa ng memory, ngunit hindi pa ito naisasakomersiyo sa malawakang antas. Sinusuportahan ng kanyang pagtatasa ang pananaw na nagsisimula pa lamang ang kompetisyon, sa halip na isa itong pamilihang napatunayan na ng isang tagagawa ang tiyak na kalamangan nito.

Umaabot nang ilang taon ang mga iniulat na milestone:

• 2016: Ayon sa CXMT, sinimulan nitong saliksikin ang 4F2 nang itatag ang kumpanya.
• 2025: Nagbunyag ang SK hynix ng roadmap na may kaugnayan sa 4F2 technology.
• Agosto 2026: Ayon sa CXMT, sinimulan nito ang mass production ng LPDDR6 mobile memory.
• Setyembre 2026: Ayon sa CXMT, pumasok sa mass production ang fifth generation DRAM manufacturing platform nito.
• Oktubre 10, 2026: Inilahad ni Cao sa Shanghai ang plano para sa server memory.
• Katapusan ng 2026: Layunin ng CXMT na ipakilala ang DDR5 RDIMM gamit ang 4F2.
• 2027 at 2028: Iniulat na plano ng Samsung ang quality testing na susundan ng mass production.

Bakit maaaring magpasya sa kompetisyon ang production yield

Yield ang pangunahing usapin sa pagmamanupaktura: ito ang proporsiyon ng mga chip na nagagawa sa isang wafer na nakatutugon sa kinakailangang espesipikasyon. Maaaring kaakit-akit sa teorya ang mas maliit na cell, pero magastos pa rin itong gawin kung napakaraming chip ang bumabagsak sa pagsusuri. Kailangang maabot ng proseso ang yield na kapaki-pakinabang sa komersiyo matapos baguhin ang geometry ng transistor at mga hakbang sa produksyon.

Lalong mahalaga ito kapag kapos ang suplay ng memory. Nanganganganib na bumaba ang nagagamit na produksyon ng mga tagagawa kapag nagpasok sila ng bagong proseso habang nilulutas ang mga problema sa produksyon, kahit sa huli ay mapahusay ng teknolohiya ang density o performance. Kaya may dahilan ang mga establisadong supplier na timbangin ang panahon ng paglipat batay sa demand para sa kasalukuyan nilang mga produkto.

Inilarawan ni Kim Jin-guk, dating chief technology officer ng SK hynix, ang kapasidad sa produksyon bilang agarang prayoridad sa komersiyo:

Dahil inaasahang magpapatuloy ang kasalukuyang kakulangan sa memory, lumilipat ang merkado tungo sa kalagayang mas mahalaga ang kapasidad sa produksyon kaysa husay sa teknolohiya,

Nagbabala rin si Kim tungkol sa gastos sa pagpapasok ng bagong proseso:

Hindi maiiwasang malaki ang pagkalugi sa produksyon habang ipinapasok ang mga bagong teknolohiya.

Ipinapaliwanag ng mga komento niya kung bakit hindi nangangahulugang mas malakas na posisyong kompetitibo ang mas maagang anunsiyo. Mas epektibong makapaglilingkod sa mga customer ang kumpanyang nakakagawa ng maraming maaasahang memory kaysa karibal na may mas siksik na disenyo ngunit mahirap pa itong gawin.

Patunay ng pagkilos sa isa pang milestone sa pagmamanupaktura ang iniulat na pagsisimula ng produksyon ng CXMT sa G5 platform nito noong Setyembre. Hindi nito, sa ganang sarili, pinatutunayang kapantay na ang kahandaan ng inanunsiyong 4F2 server product. Hindi sapat ang detalyeng ibinunyag ng kumpanya tungkol sa ugnayan ng mga pahayag na ito sa produksyon para mahinuha iyon.

Ibang pagsubok ang mga server customer

Nangungunang puwesto sa server DRAM ang hawak ng Samsung, SK hynix at Micron, samantalang mas nakatuon ang CXMT sa consumer electronics. Ayon sa CXMT, lumaki ang ambag ng negosyo nito sa server sa unang kalahati ng 2026, ngunit walang ibinigay ang mga ulat na bilang ng kita o market share para sa negosyong iyon.

May mahalagang pagkakaiba sa pagitan ng pagpasok sa server market at pagkuha roon ng malaking demand. Kailangan ng mga customer ng memory na maaasahan sa kanilang mga system kahit tuluy-tuloy ang mabibigat na workload. Mahalaga rin ang product qualification, maaasahang paghahatid at pare-parehong performance, bukod sa density ng chip.

Hindi rin pinatutunayan ng anunsiyo na nagkaroon ng pambihirang pagsulong ang CXMT sa high bandwidth memory, o HBM, na malawakang ginagamit kasabay ng mga advanced computing processor. Magkaiba ang gamit ng DDR5 RDIMM at HBM. Hindi maaaring ituring na patunay ng pagsasara ng CXMT sa iniulat na agwat nito sa HBM technology ang pag-usad sa iminungkahing server product.

Nagkakaiba ang mga pagtataya kung gaano kalayo ang China sa South Korea sa karaniwang DRAM. Tinataya ng ilang ulat na nasa isa hanggang dalawang taon ang agwat, habang inilalarawan naman ng iba na dalawa hanggang tatlong taon ito. Sa pangkalahatan, tinataya ng mga ulat na hindi bababa sa tatlong taon ang agwat sa HBM. Mga pagtatasa ito ng industriya, hindi mga sukat na nagmula sa isiniwalat at maihahambing na pagsusuri ng produkto.

Hinuhubog ng mga patent at kagamitan ang mas malawak na kompetisyon

Ayon sa CXMT, nakapaglathala na ito ng mahigit 300 patent family na may kaugnayan sa 4F2 at sinasaliksik na nito ang architecture mula pa noong 2016. Pinagsasama ng patent family ang magkakaugnay na aplikasyon na nagpoprotekta sa isang imbensiyon sa iba’t ibang paghahain o hurisdiksiyon. Ipinahihiwatig ng bilang na malaki ang pangkat ng intellectual property na inaangkin nito, ngunit hindi ito katumbas ng 300 magkakahiwalay at napatunayang pagsulong sa pagmamanupaktura.

Inangkin din ni Cao na mas marami ang kaugnay na patent ng CXMT kaysa sa mga lokal at pandaigdigang kakompetensiya nito. Walang ibinigay na maihahambing na patent dataset para mapatunayan ang ranggong iyon. Mas kapaki-pakinabang na mga pagsusuring pangkomersiyo kung kayang gawin ang mga disenyo, kung natutugunan ng mga kalalabasang produkto ang mga pangangailangan ng customer at kung maihahatid ang mga ito sa malaking antas.

Isa pang limitasyon ang pagkuha ng kagamitan. Hindi magagamit ng CXMT ang extreme ultraviolet lithography equipment ng ASML, na kilala bilang EUV, ayon sa mga ulat. Tinutulungan ng EUV ang mga tagagawa na gumuhit ng napakaliit na feature, at nagdaragdag ng kawalang-katiyakan ang kawalan nito sa landas ng CXMT tungo sa yield na kapaki-pakinabang sa komersiyo.

Ipinapalagay ng ilang komentaryo sa industriya na hindi gaanong makaaapekto ang EUV sa susunod na henerasyon ng 3D DRAM production. Tungkol ang inaasahang iyon sa susunod pang architecture at hindi nito inaalis ang mga hamon sa pagmamanupaktura ng inanunsiyong produkto. Hindi rin awtomatikong nangangahulugan na nagsasalansan ng maraming layer ng DRAM cell ang vertical transistor sa 4F2 cell.

Ipinauunawa ng iba pang iniulat na pag-unlad sa China ang pagkabahala ng mga tagagawang Korean. Isinusulong ng Huawei ang logic folding technology, samantalang sinasabi ng mga ulat na nagbabayad ang Samsung ng royalty para magamit ang Xtacking bonding technology ng YMTC. Magkakaibang teknolohiya at kumpanya ang sangkot dito, kaya hindi pinatutunayan ng mga ito ang mga pahayag ng CXMT tungkol sa server memory.

Saklaw ng iniulat na kasunduan sa paglilisensiya ng patent na inanunsiyo ng Huawei at Qualcomm noong Oktubre 5 ang 5G, computing, artificial intelligence at networking. Ipinakikita nito ang mas malawak na papel ng Chinese intellectual property sa industriya, ngunit hindi ito kasunduan sa DRAM o patunay na handa na ang 4F2 sa produksyon.

Mga hindi pa napapatunayan bago ang deadline

Nagbibigay ng karagdagang konteksto sa pagsisikap nitong umunlad ang pagpapalawak sa pananalapi ng CXMT. Tinataya ng mga ulat na umabot sa humigit-kumulang $8.6 bilyon, o mga 66.61 bilyong yuan, ang pagbebenta ng mga bahagi nito noong Hulyo, at sinasabi nilang tumaas nang 466% ang mga bahagi nito sa unang araw ng kalakalan. Ipinakikita ng mga bilang na ito ang malaking pondong nalikom at interes ng mga mamumuhunan, hindi ang teknikal na pagpapatunay sa nakaplanong produkto ng memory.

Katamtaman ang iniulat na agarang galaw ng mga stock ng mga establisadong supplier: bumaba nang humigit-kumulang 1% ang Micron sa magdamagang kalakalan at bumagsak nang 0.8% ang SK hynix sa lokal na kalakalan sa mga iniulat na sesyon. Naroon din ang mas malawak na pagbebenta ng mga semiconductor share at pagkabahala tungkol sa paggasta sa artificial intelligence, kaya hindi maituturing na CXMT lang ang sanhi ng mga galaw na ito.

Ang susunod na itinakdang deadline ay ang katapusan ng 2026. Bago maging posible ang tuwirang paghahambing sa kompetisyon, kailangang magbunyag ang CXMT ng higit pa sa petsa ng paglabas: makatutulong ang mga espesipikasyon ng module, saklaw ng produksyon, customer qualification at katibayan ng maaasahang operasyon para maipakita ang komersiyal na kahulugan ng anunsiyo.

Sa ngayon, nagtakda ang CXMT ng mas maagang target sa paglabas ng produkto kaysa sa iniulat na iskedyul ng pagmamanupaktura ng Samsung at naglarawan ng kongkretong hakbang sa architecture. Nakadepende sa nagagamit na output at pagtanggap ng mga customer, hindi sa petsa lamang, kung magiging kalamangan ito sa server memory.

Mahahalagang Punto

• Plano ng CXMT na ipakilala pagsapit ng katapusan ng 2026 ang DDR5 registered server memory gamit ang 4F2 DRAM.
• Sa parehong minimum feature size, teoretikal na mas maliit nang isang katlo ang 4F2 cell kaysa sa 6F2 cell.
• Ayon sa CXMT, binabawasan ng vertical surrounding gate transistor nito ang tagas ng kuryente at sinusuportahan ang mas mataas na density.
• Iniulat na target ng Samsung ang mass production sa 2028; nagbunyag ang SK hynix ng kaugnay na roadmap noong 2025.
• Hindi pa ibinubunyag ng CXMT ang detalyadong espesipikasyon ng produkto, production yield o eksaktong petsa ng paglulunsad.
• Hindi sapat ang mas maagang paglulunsad para patunayan ang kalamangan sa malawakang pagmamanupaktura o pagtanggap ng mga server customer.